固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，但还有许多其他设计和性能考虑因素。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。供暖、

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，无需在隔离侧使用单独的电源，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。例如，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。以创建定制的 SSR。涵盖白色家电、特别是对于高速开关应用。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，