固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。涵盖白色家电、

航空航天和医疗系统。无需在隔离侧使用单独的电源，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。以满足各种应用和作环境的特定需求。从而实现高功率和高压SSR。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。以支持高频功率控制。可用于创建自定义 SSR。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。还需要散热和足够的气流。但还有许多其他设计和性能考虑因素。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。特别是对于高速开关应用。