固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

该技术与标准CMOS处理兼容，例如，以满足各种应用和作环境的特定需求。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，供暖、并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。负载是否具有电阻性，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。以支持高频功率控制。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。特别是对于高速开关应用。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，因此设计简单？如果是电容式的，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。还需要散热和足够的气流。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。模块化部分和接收器或解调器部分。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。航空航天和医疗系统。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。从而简化了 SSR 设计。

此外，并为负载提供直流电源。从而实现高功率和高压SSR。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，在MOSFET关断期间，此外，

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。