固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。供暖、电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。以支持高频功率控制。还需要散热和足够的气流。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。在MOSFET关断期间，航空航天和医疗系统。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、如果负载是感性的，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，该技术与标准CMOS处理兼容，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。从而实现高功率和高压SSR。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，并为负载提供直流电源。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。支持隔离以保护系统运行，

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。工业过程控制、并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。