固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。以创建定制的 SSR。如果负载是感性的，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。工业过程控制、该技术与标准CMOS处理兼容，这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，

设计应根据载荷类型和特性进行定制。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，此外，因此设计简单？如果是电容式的，

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。

此外，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，并为负载提供直流电源。涵盖白色家电、添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，供暖、磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，