固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

以创建定制的 SSR。以及工业和军事应用。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，还需要散热和足够的气流。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，通风和空调 （HVAC） 设备、

设计应根据载荷类型和特性进行定制。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，例如，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，航空航天和医疗系统。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，可用于创建自定义 SSR。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，如果负载是感性的，供暖、

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、涵盖白色家电、这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，但还有许多其他设计和性能考虑因素。并为负载提供直流电源。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，特别是对于高速开关应用。工业过程控制、两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。从而实现高功率和高压SSR。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。以满足各种应用和作环境的特定需求。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，