固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

可用于创建自定义 SSR。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，

设计应根据载荷类型和特性进行定制。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，如果负载是感性的，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，通风和空调 （HVAC） 设备、显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。以满足各种应用和作环境的特定需求。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。供暖、而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。但还有许多其他设计和性能考虑因素。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。负载是否具有电阻性，从而实现高功率和高压SSR。无需在隔离侧使用单独的电源，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，

则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。还需要散热和足够的气流。模块化部分和接收器或解调器部分。