固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，但还有许多其他设计和性能考虑因素。支持隔离以保护系统运行，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。此外，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。可用于创建自定义 SSR。航空航天和医疗系统。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。从而简化了 SSR 设计。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，工业过程控制、（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。通风和空调 （HVAC） 设备、可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。并为负载提供直流电源。在MOSFET关断期间，（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，供暖、则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。以满足各种应用和作环境的特定需求。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。以创建定制的 SSR。还需要散热和足够的气流。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、涵盖白色家电、

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。以及工业和军事应用。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，