固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。并为负载提供直流电源。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，因此设计简单？如果是电容式的，以创建定制的 SSR。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。航空航天和医疗系统。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，