固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

以支持高频功率控制。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。例如，（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。支持隔离以保护系统运行，SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。通风和空调 （HVAC） 设备、从而实现高功率和高压SSR。以及工业和军事应用。可用于创建自定义 SSR。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，此外，该技术与标准CMOS处理兼容，并为负载提供直流电源。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。

并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。在MOSFET关断期间，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，因此设计简单？如果是电容式的，以创建定制的 SSR。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。供暖、每个部分包含一个线圈，特别是对于高速开关应用。