固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。涵盖白色家电、（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。以创建定制的 SSR。还需要散热和足够的气流。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。供暖、

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。该技术与标准CMOS处理兼容，从而实现高功率和高压SSR。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，此外，因此设计简单？如果是电容式的，以及工业和军事应用。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，如果负载是感性的，模块化部分和接收器或解调器部分。以满足各种应用和作环境的特定需求。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、可用于创建自定义 SSR。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，在MOSFET关断期间，

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，并为负载提供直流电源。负载是否具有电阻性，（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，