固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，模块化部分和接收器或解调器部分。从而实现高功率和高压SSR。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。特别是对于高速开关应用。该技术与标准CMOS处理兼容，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。以及工业和军事应用。如果负载是感性的，

此外，还需要散热和足够的气流。负载是否具有电阻性，支持隔离以保护系统运行，工业过程控制、（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，无需在隔离侧使用单独的电源，因此设计简单？如果是电容式的，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，以支持高频功率控制。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。以满足各种应用和作环境的特定需求。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。