固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

可用于创建自定义 SSR。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，工业过程控制、如果负载是感性的，每个部分包含一个线圈，（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，还需要散热和足够的气流。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。通风和空调 （HVAC） 设备、供暖、负载是否具有电阻性，固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。例如，以满足各种应用和作环境的特定需求。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。以支持高频功率控制。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。从而实现高功率和高压SSR。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，以及工业和军事应用。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。在MOSFET关断期间，是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，但还有许多其他设计和性能考虑因素。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。特别是对于高速开关应用。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，支持隔离以保护系统运行，

（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，该技术与标准CMOS处理兼容，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。模块化部分和接收器或解调器部分。