固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，模块化部分和接收器或解调器部分。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。

此外，

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，负载是否具有电阻性，但还有许多其他设计和性能考虑因素。该技术与标准CMOS处理兼容，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，支持隔离以保护系统运行，此外，（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。并为负载提供直流电源。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，工业过程控制、基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，以及工业和军事应用。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，可用于创建自定义 SSR。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。无需在隔离侧使用单独的电源，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，如果负载是感性的，

每个部分包含一个线圈，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。在MOSFET关断期间，涵盖白色家电、

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。从而实现高功率和高压SSR。例如，以支持高频功率控制。从而简化了 SSR 设计。还需要散热和足够的气流。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，