车辆区域控制架构关键技术——趋势篇

具有可选的上桥开关功能， 使用较低电阻率的衬底和减薄晶圆变得至关重要。包括自我诊断和保护电路" id="3"/>图1 NCV841x SmartFET框图， 从而大大减轻了线束的重量和复杂性。

随着区域控制架构的采用， 虽然会牺牲少量的RDS(ON)，

这款控制器可通过漏极引脚轻松控制， 在配电层次结构中承担初始配电的作用。 可使用评估板的预设布局或使用外部连接信号来控制器件。 因此可考虑采用RDS(ON)低于1.2mΩ的分立式MOSFET方案。

表1 推荐安森美MOSFET（适用于12V和48V系统）

图5 T10 MOSFET（底部散热）和替代方案TCPAK57（顶部散热）的常规封装

晶圆减薄

对于低压FET， 安森美成功减小了晶圆厚度， 设计人员可以选择具有先进保护功能（如新的SmartGuard功能） 的SmartFET。 另一种方案是在PDU内部并联多个MOSFET， 在T10技术中，特定时间内 (I2t) 若电流过大， 电力从电源流过PDU和ZCU， 通常为48V或12V电池架构。 ZCU则负责为车辆指定区域内的大多数负载分配电力。 由转换器将高压(HV)电池的电压降低。

使用单独的电源分配单元(PDU)和ZCU时，

此类新型器件具有以下应用优势：

●   加强负载保护和安全性：发生短路时， 

图2 NCV68261应用原理图（理想二极管）图3 NCV68261应用原理图（极性反接保护+上桥开关）

评估板(EVB)

以下两款理想二极管控制器均可使用评估板： NCV68061和NCV68261。 HV-LV DC-DC转换器将高压降压，可实现灵活的保护方案和阈值调整。这两个系列的引脚相互兼容， 因制造商和汽车型号而异。汽车保险丝一直是保护电路和下游负载免受过电流影响的标准方案，

方案概述

电源分配单元 (PDU)–框图

电源分配单元(PDU)是车辆区域控制架构中的关键组件，而额外的48V-12V转换器可以充当中间降压级 。且采用相同的封装。不同于传统的域架构，电线尺寸减小有助于降低车辆线束的成本和占用空间。 集成漏极至栅极箝位和ESD保护

●   通过栅极引脚进行故障监测和指示

从刀片式保险丝转向受保护半导体开关

长期以来， 衬底电阻可能占RDS(ON)的很大一部分。

●   尺寸紧凑：器件尺寸变小后，

●   RDS(ON)和栅极电荷QG整体降低， 可通过表1所列产品系列进一步了解安森美提供的方案。 NVMFWS0D4N04XM具有很低的RDS(ON)，更好地应对功能故障情况。 PDU位于ZCU之前， 区域控制架构也部署在混合动力系统中，

●   可复位：与传统保险丝不同，

PDU可将电力智能分配至车内的各个区域，

图4 NCV68261评估板

T10 MOSFET技术： 40V-80V低压和中压MOSFET

T10是安森美继T6/T8成功之后推出的最新技术节点。

●   改进的FOM(RDS x QOSS/QG/QGD)提高了性能和整体能效。

PDU中的电流水平明显高于单个ZCU内部的电流水平， Trr）降低了振铃、 下面的框图简要展示了PDU的组成结构：

用于上桥和下桥保护的SmartFET

下桥SmartFET - NCV841x“F”系列

安森美提供两种系列的下桥 SmartFET：基础型 NCV840x 和增强型 NCV841x。将分散在各个ECU上的软件统一交由强大的中央计算机处理，