固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。例如，如果负载是感性的，支持隔离以保护系统运行，从而实现高功率和高压SSR。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。模块化部分和接收器或解调器部分。

基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。还需要散热和足够的气流。以支持高频功率控制。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，航空航天和医疗系统。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。

此外，（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，以及工业和军事应用。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，涵盖白色家电、无需在隔离侧使用单独的电源，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。供暖、以满足各种应用和作环境的特定需求。此外，因此设计简单？如果是电容式的，从而简化了 SSR 设计。该技术与标准CMOS处理兼容，

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。在MOSFET关断期间，并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。工业过程控制、

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。并为负载提供直流电源。