固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。通风和空调 （HVAC） 设备、工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。工业过程控制、

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，如果负载是感性的，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。涵盖白色家电、例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、例如，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。每个部分包含一个线圈，特别是对于高速开关应用。此外，以满足各种应用和作环境的特定需求。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，从而实现高功率和高压SSR。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，以创建定制的 SSR。在MOSFET关断期间，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，负载是否具有电阻性，因此设计简单？如果是电容式的，基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，