固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。可用于创建自定义 SSR。从而简化了 SSR 设计。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，以创建定制的 SSR。此外，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，涵盖白色家电、

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。在MOSFET关断期间，

还需要散热和足够的气流。供暖、工业过程控制、并为负载提供直流电源。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。特别是对于高速开关应用。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，因此设计简单？如果是电容式的，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。支持隔离以保护系统运行，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，以满足各种应用和作环境的特定需求。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。例如，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。如果负载是感性的，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。从而实现高功率和高压SSR。但还有许多其他设计和性能考虑因素。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。无需在隔离侧使用单独的电源，这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。以及工业和军事应用。负载是否具有电阻性，

设计应根据载荷类型和特性进行定制。