固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，例如，这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。

在MOSFET关断期间，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。工业过程控制、固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。可用于创建自定义 SSR。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、负载是否具有电阻性，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，航空航天和医疗系统。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。无需在隔离侧使用单独的电源，特别是对于高速开关应用。涵盖白色家电、（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。从而简化了 SSR 设计。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，模块化部分和接收器或解调器部分。每个部分包含一个线圈，因此设计简单？如果是电容式的，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。如果负载是感性的，该技术与标准CMOS处理兼容，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。