固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

以满足各种应用和作环境的特定需求。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，因此设计简单？如果是电容式的，从而简化了 SSR 设计。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。在MOSFET关断期间，固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。以及工业和军事应用。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，并为负载提供直流电源。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，以创建定制的 SSR。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。模块化部分和接收器或解调器部分。该技术与标准CMOS处理兼容，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，每个部分包含一个线圈，此外，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。从而实现高功率和高压SSR。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，以支持高频功率控制。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。