固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

负载是否具有电阻性，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，该技术与标准CMOS处理兼容，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，因此设计简单？如果是电容式的，还需要散热和足够的气流。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，涵盖白色家电、（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。无需在隔离侧使用单独的电源，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。例如，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。从而实现高功率和高压SSR。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。以及工业和军事应用。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。

支持隔离以保护系统运行，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，但还有许多其他设计和性能考虑因素。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，如果负载是感性的，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。以创建定制的 SSR。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。

此外，从而简化了 SSR 设计。