固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，从而实现高功率和高压SSR。但还有许多其他设计和性能考虑因素。此外，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。每个部分包含一个线圈，无需在隔离侧使用单独的电源，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，特别是对于高速开关应用。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，