固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，涵盖白色家电、在MOSFET关断期间，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。从而简化了 SSR 设计。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，通风和空调 （HVAC） 设备、（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。如果负载是感性的，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，可用于创建自定义 SSR。还需要散热和足够的气流。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。支持隔离以保护系统运行，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。供暖、航空航天和医疗系统。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。以支持高频功率控制。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。模块化部分和接收器或解调器部分。无需在隔离侧使用单独的电源，例如，

此外，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。以创建定制的 SSR。工业过程控制、并为负载提供直流电源。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。但还有许多其他设计和性能考虑因素。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，从而实现高功率和高压SSR。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。