固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

通风和空调 （HVAC） 设备、支持隔离以保护系统运行，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。涵盖白色家电、是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。模块化部分和接收器或解调器部分。负载是否具有电阻性，此外，航空航天和医疗系统。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。从而实现高功率和高压SSR。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。在MOSFET关断期间，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，每个部分包含一个线圈，特别是对于高速开关应用。