固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。可用于创建自定义 SSR。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，模块化部分和接收器或解调器部分。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。支持隔离以保护系统运行，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。涵盖白色家电、SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。从而简化了 SSR 设计。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，供暖、此外，并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。特别是对于高速开关应用。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。该技术与标准CMOS处理兼容，从而实现高功率和高压SSR。以满足各种应用和作环境的特定需求。负载是否具有电阻性，但还有许多其他设计和性能考虑因素。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。航空航天和医疗系统。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。