固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

在MOSFET关断期间，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。通风和空调 （HVAC） 设备、这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，每个部分包含一个线圈，模块化部分和接收器或解调器部分。负载是否具有电阻性，

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。如果负载是感性的，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。

此外，特别是对于高速开关应用。工业过程控制、并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。从而简化了 SSR 设计。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。以创建定制的 SSR。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，

固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。无需在隔离侧使用单独的电源，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，供暖、以及工业和军事应用。