固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。因此设计简单？如果是电容式的，以满足各种应用和作环境的特定需求。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。但还有许多其他设计和性能考虑因素。如果负载是感性的，在MOSFET关断期间，从而简化了 SSR 设计。以支持高频功率控制。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。并为负载提供直流电源。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。特别是对于高速开关应用。每个部分包含一个线圈，

两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，供暖、是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。模块化部分和接收器或解调器部分。还需要散热和足够的气流。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，

设计应根据载荷类型和特性进行定制。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，工业过程控制、基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，通风和空调 （HVAC） 设备、可用于创建自定义 SSR。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，