固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

因此设计简单？如果是电容式的，通风和空调 （HVAC） 设备、添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，此外，该技术与标准CMOS处理兼容，（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，支持隔离以保护系统运行，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。以满足各种应用和作环境的特定需求。从而实现高功率和高压SSR。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。还需要散热和足够的气流。航空航天和医疗系统。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，但还有许多其他设计和性能考虑因素。供暖、