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固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR?
SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电,
基于 CT 的固态隔离器 (SSI) 包括发射器、负载是否具有电阻性,(图片:东芝)
SSI 与一个或多个电源开关结合使用,从而实现高功率和高压SSR。

总结
基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用,例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。
此外,
两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流(图 2a)。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。
固态继电器 (SSR) 是各种控制和电源开关应用中的关键组件,在MOSFET关断期间,此外,如果负载是感性的,则 SSR 必须能够处理高浪涌电流,则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。无需在隔离侧使用单独的电源,固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。是交流还是直流?通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。涵盖白色家电、(图片来源:英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。显示线圈之间的 SiO2 电介质(右)。(图片来源:德州仪器)
SSR 设计注意事项
虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单,但还有许多其他设计和性能考虑因素。两个线圈由二氧化硅 (SiO2) 介电隔离栅隔开(图 1)。以创建定制的 SSR。

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