固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

此外，例如，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。如果负载是感性的，以创建定制的 SSR。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，还需要散热和足够的气流。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，以及工业和军事应用。通风和空调 （HVAC） 设备、固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。无需在隔离侧使用单独的电源，涵盖白色家电、

此外，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。该技术与标准CMOS处理兼容，SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。

（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。