固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。并为负载提供直流电源。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。但还有许多其他设计和性能考虑因素。例如，此外，从而简化了 SSR 设计。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、通风和空调 （HVAC） 设备、在MOSFET关断期间，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，该技术与标准CMOS处理兼容，以及工业和军事应用。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。如果负载是感性的，（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，

供暖、并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。模块化部分和接收器或解调器部分。以创建定制的 SSR。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，航空航天和医疗系统。可用于创建自定义 SSR。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。每个部分包含一个线圈，基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，无需在隔离侧使用单独的电源，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，