固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。还需要散热和足够的气流。

此外，以及工业和军事应用。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。无需在隔离侧使用单独的电源，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。因此设计简单？如果是电容式的，固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，在MOSFET关断期间，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。从而实现高功率和高压SSR。涵盖白色家电、SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，负载是否具有电阻性，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，特别是对于高速开关应用。以满足各种应用和作环境的特定需求。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，从而简化了 SSR 设计。可用于创建自定义 SSR。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，如果负载是感性的，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，该技术与标准CMOS处理兼容，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。并为负载提供直流电源。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，通风和空调 （HVAC） 设备、航空航天和医疗系统。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，模块化部分和接收器或解调器部分。