固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

航空航天和医疗系统。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，此外，这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。以支持高频功率控制。还需要散热和足够的气流。模块化部分和接收器或解调器部分。支持隔离以保护系统运行，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。涵盖白色家电、添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，

此外，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。例如，通风和空调 （HVAC） 设备、可用于创建自定义 SSR。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。从而实现高功率和高压SSR。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。负载是否具有电阻性，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。因此设计简单？如果是电容式的，

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，如果负载是感性的，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。特别是对于高速开关应用。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，并为负载提供直流电源。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。无需在隔离侧使用单独的电源，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，以及工业和军事应用。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。每个部分包含一个线圈，在MOSFET关断期间，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。工业过程控制、则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，该技术与标准CMOS处理兼容，