固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。特别是对于高速开关应用。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。该技术与标准CMOS处理兼容，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。因此设计简单？如果是电容式的，固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。通风和空调 （HVAC） 设备、

此外，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。工业过程控制、但还有许多其他设计和性能考虑因素。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，例如，负载是否具有电阻性，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，

添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，以支持高频功率控制。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，如果负载是感性的，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，可用于创建自定义 SSR。从而简化了 SSR 设计。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，