固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

工业过程控制、显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。

支持隔离以保护系统运行，这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，供暖、（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。在MOSFET关断期间，

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。例如，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，每个部分包含一个线圈，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，还需要散热和足够的气流。通风和空调 （HVAC） 设备、并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。

此外，该技术与标准CMOS处理兼容，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。此外，（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，以支持高频功率控制。负载是否具有电阻性，模块化部分和接收器或解调器部分。但还有许多其他设计和性能考虑因素。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。