固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

因此设计简单？如果是电容式的，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。工业过程控制、基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、特别是对于高速开关应用。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，

设计应根据载荷类型和特性进行定制。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。负载是否具有电阻性，

此外，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。每个部分包含一个线圈，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。以支持高频功率控制。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，无需在隔离侧使用单独的电源，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。以满足各种应用和作环境的特定需求。从而实现高功率和高压SSR。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，模块化部分和接收器或解调器部分。以创建定制的 SSR。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。