固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。从而实现高功率和高压SSR。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。从而简化了 SSR 设计。因此设计简单？如果是电容式的，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。如果负载是感性的，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。每个部分包含一个线圈，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。涵盖白色家电、则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。并为负载提供直流电源。该技术与标准CMOS处理兼容，