固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

供暖、并为负载提供直流电源。从而简化了 SSR 设计。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。以及工业和军事应用。例如，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。无需在隔离侧使用单独的电源，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。负载是否具有电阻性，固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。以创建定制的 SSR。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。工业过程控制、工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。还需要散热和足够的气流。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。