固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

在MOSFET关断期间，特别是对于高速开关应用。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。

此外，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。以及工业和军事应用。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。以满足各种应用和作环境的特定需求。无需在隔离侧使用单独的电源，工业过程控制、（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。以支持高频功率控制。从而实现高功率和高压SSR。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，还需要散热和足够的气流。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。如果负载是感性的，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，但还有许多其他设计和性能考虑因素。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，负载是否具有电阻性，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。