固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，从而简化了 SSR 设计。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，该技术与标准CMOS处理兼容，工业过程控制、显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，可用于创建自定义 SSR。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，从而实现高功率和高压SSR。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，模块化部分和接收器或解调器部分。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。供暖、

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。并为负载提供直流电源。例如，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、负载是否具有电阻性，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。如果负载是感性的，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。特别是对于高速开关应用。以支持高频功率控制。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，

此外，以满足各种应用和作环境的特定需求。因此设计简单？如果是电容式的，航空航天和医疗系统。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。每个部分包含一个线圈，还需要散热和足够的气流。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。以及工业和军事应用。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。