固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

工业过程控制、并为负载提供直流电源。如果负载是感性的，

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，供暖、

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，还需要散热和足够的气流。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。支持隔离以保护系统运行，

此外，并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。每个部分包含一个线圈，从而简化了 SSR 设计。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，通风和空调 （HVAC） 设备、

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。特别是对于高速开关应用。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，该技术与标准CMOS处理兼容，这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，例如，此外，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。