固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，但还有许多其他设计和性能考虑因素。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。可用于创建自定义 SSR。无需在隔离侧使用单独的电源，

磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。特别是对于高速开关应用。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，

设计应根据载荷类型和特性进行定制。例如，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。如果负载是感性的，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。支持隔离以保护系统运行，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，