固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。航空航天和医疗系统。通风和空调 （HVAC） 设备、支持隔离以保护系统运行，固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。以支持高频功率控制。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。从而实现高功率和高压SSR。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。以及工业和军事应用。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。供暖、（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。在MOSFET关断期间，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。