固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。如果负载是感性的，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，并为负载提供直流电源。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，可用于创建自定义 SSR。负载是否具有电阻性，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，模块化部分和接收器或解调器部分。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。在MOSFET关断期间，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。

此外，例如，是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。特别是对于高速开关应用。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。还需要散热和足够的气流。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。以支持高频功率控制。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，