固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。支持隔离以保护系统运行，以支持高频功率控制。可用于创建自定义 SSR。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，但还有许多其他设计和性能考虑因素。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。从而实现高功率和高压SSR。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，因此设计简单？如果是电容式的，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。以及工业和军事应用。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。模块化部分和接收器或解调器部分。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。该技术与标准CMOS处理兼容，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。在MOSFET关断期间，并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。通风和空调 （HVAC） 设备、（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，每个部分包含一个线圈，并为负载提供直流电源。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。特别是对于高速开关应用。无需在隔离侧使用单独的电源，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。以满足各种应用和作环境的特定需求。